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beplay官网登录设计专有权公告(2018年8月15日)
发布时间:2018-08-15

布图设计登记号:BS.175533288
布图设计申请日:2017年9月27日
公告日期:2018年8月15日
公告号:16184
布图设计名称:FX3071
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:福建省福芯电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园A区28号楼三层(301)
布图设计创作人:李华锋
代理机构:福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)
代理人:林祥翔
布图设计创作完成日:2016年12月20日
布图设计首次商业利用日:2017年3月17日


布图设计登记号:BS.175533296
布图设计申请日:2017年9月27日
公告日期:2018年8月15日
公告号:16185
布图设计名称:FX7N65
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:NMOS
    功能:其他
布图设计权利人:福建省福芯电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园A区28号楼三层(301)
布图设计创作人:陈虞平、胡兴正
代理机构:福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)
代理人:林祥翔
布图设计创作完成日:2016年9月25日
布图设计首次商业利用日:2016年12月18日


布图设计登记号:BS.175534403
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月15日
公告号:16186
布图设计名称:LDON2
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:哈工大机器人(合肥)国际创新研究院
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦6012室
布图设计创作人:翟荣安
代理机构:合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙)
代理人:丁瑞瑞
布图设计创作完成日:2017年8月18日


布图设计登记号:BS.175534411
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月15日
公告号:16187
布图设计名称:LDOP2
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:哈工大机器人(合肥)国际创新研究院
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦6012室 
布图设计创作人:翟荣安
代理机构:合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙)
代理人:丁瑞瑞
布图设计创作完成日:2017年8月18日


布图设计登记号:BS.17553442X
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月15日
公告号:16188
布图设计名称:amp23
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:哈工大机器人(合肥)国际创新研究院
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦6012室 
布图设计创作人:王纯配
代理机构:合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙)
代理人:丁瑞瑞
布图设计创作完成日:2017年8月20日


布图设计登记号:BS.175535698
布图设计申请日:2017年10月29日
公告日期:2018年8月15日
公告号:16189
布图设计名称:UC1701
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:上海宇芯科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区达尔文路88号3幢4楼
布图设计创作人:蒋玉东
代理机构:上海晨皓beplay体育下载代理事务所(普通合伙)
代理人:成丽杰
布图设计创作完成日:2016年3月4日


布图设计登记号:BS.175536163
布图设计申请日:2017年10月31日
公告日期:2018年8月15日
公告号:16190
布图设计名称:基于标准CMOS工艺带BTNMOS的FS ESD保护单元
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:成都紫微芯源科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:四川省成都市高新区盛华南路80号32栋22层2218号
布图设计创作人:成都紫微芯源科技有限公司
布图设计创作完成日:2017年10月20日


布图设计登记号:BS.175004536
布图设计申请日:2017年6月21日
公告日期:2018年8月15日
公告号:16191
布图设计名称:内置霍尔直流无刷风扇驱动电路
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:绍兴光大芯业微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:浙江省绍兴市天姥路13号
布图设计创作人:绍兴光大芯业微电子有限公司
布图设计创作完成日:2017年1月12日


布图设计登记号:BS.175009627
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月15日
公告号:16192
布图设计名称:VSICSDEARTH2017
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层230房号
布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2016年10月14日


布图设计登记号:BS.175009635
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月15日
公告号:16193
布图设计名称:VSICSDATPMS2017
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层230房号
布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2016年7月10日


布图设计登记号:BS.175009643
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月15日
公告号:16194
布图设计名称:VSICSDHKDW2017
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区松涛路560号张江大厦20A
布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层230房号
布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2016年5月20日


布图设计登记号:BS.175535639
布图设计申请日:2017年10月28日
公告日期:2018年8月15日
公告号:16195
布图设计名称:高电源抑制比基准电流源
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:四川海创天芯科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:四川省成都市中国(四川)自由贸易实验区成都高新区天府三街219号2栋8、9、10、14、17楼
布图设计权利人:成都信息工程大学
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:四川省成都市西南航空港经济开发区学府路一段24号
布图设计创作人:李芝友
布图设计创作完成日:2017年10月12日


布图设计登记号:BS.175535736
布图设计申请日:2017年10月30日
公告日期:2018年8月15日
公告号:16196
布图设计名称:AU50
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:矽恩微电子(厦门)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:福建省厦门市思明区珍珠湾厦门软件园创新大厦A区12楼
布图设计创作人:矽恩微电子(厦门)有限公司
布图设计创作完成日:2012年12月31日


布图设计登记号:BS.175535744
布图设计申请日:2017年10月30日
公告日期:2018年8月15日
公告号:16197
布图设计名称:PM13
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:矽恩微电子(厦门)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:福建省厦门市思明区珍珠湾厦门软件园创新大厦A区12楼
布图设计创作人:矽恩微电子(厦门)有限公司
布图设计创作完成日:2013年12月31日


布图设计登记号:BS.175535752
布图设计申请日:2017年10月30日
公告日期:2018年8月15日
公告号:16198
布图设计名称:PM08
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:NMOS
    功能:其他
布图设计权利人:矽恩微电子(厦门)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:福建省厦门市思明区珍珠湾厦门软件园创新大厦A区12楼
布图设计创作人:矽恩微电子(厦门)有限公司
布图设计创作完成日:2011年12月30日


布图设计登记号:BS.175535760
布图设计申请日:2017年10月30日
公告日期:2018年8月15日
公告号:16199
布图设计名称:MS18C
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:矽恩微电子(厦门)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:福建省厦门市思明区珍珠湾厦门软件园创新大厦A区12楼
布图设计创作人:矽恩微电子(厦门)有限公司
布图设计创作完成日:2012年12月31日